EN
AR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
TL
ID
SK
SL
UK
VI
TH
TR
AF
MS
SW
GA
CY
BE
KA
LO
LA
MI
MR
MN
NE
UZ
Ჩვენ ძალიან გამოვიყენებთ ჩვენს ტექნოლოგიას, მაგრამ რა დროს ვიყურებთ იმ მცირე მიკროჩიპებს, რომლებსაც ყოველდღიურად გამოვიყენებთ მათი საწყის ფორმით? და დაგვინდოდათ ისინი როგორ გამოიწვება? პლაზმის ეტჩერები, მანქანები, რომლებიც ამ მიკროჩიპების შესაქმნელად გამოიყენება. ეს საშიში მოწყობილობები გამოიყენებენ აირს, რომელსაც უწოდებენ gaussian c3f8 რომ ეტჩინგის საშუალებით შექმნას მცირე მონაკვეთები სილიკონის ვაფერზე. როცა ეს მონაკვეთები შეიქმნება, ისინი ფორმირებს ცირკუიტებს, რომლებიც ახალი კომპიუტერების, ტელეფონების ან სხვა მოწყობილობების სწორ მუშაობას უზრუნველყოფს. ეს მცირე ელექტრო გზები (წაიკითხეთ ცირკუიტები) არის საჭირო ჩვენს მოწყობილობების სწორ მუშაობისთვის.
C3F8 არის ნოველური განმავლობითი ახალგაზი, რომელიც მANY მძღოლობას და მაღალი ტემპერატურის, წნევის წინააღმდეგ თვისებები აქვს, რომლებიც მANY ინდუსტრიებში გამოიყენება. ეს ნიშნავს, რომ ის იდეალურია მიკროჩიპების წარმოებისთვის. ეს ყველაფერს აღდგენს მიკროჩიპების წარმოებაში, მასაც მANY გამართლებით ამაღლებს პლაზმის ეტჩინგის ეფექტს და C3F8-ის. ეს გვაძლევს მისაღებას მიკროჩიპებს, რომლებიც მANY კომპაქტურია და ჯერ უფრო გარკვეული ხარისხისაა.
Ახალი გამოყენებები C3F8 ეტჩინგისთვის
Პლაზმის ეტჩერები წინადადებით იყვნენ შეზღუდული იმ მასალებით, რომლებთანაც შეძლებდნენ მუშაობას. ისინი ჰქონდნენ შეზღუდული ეფექტი კერძო მასალებზე. თუმცა, C3F8, რომელიც იაპონური კომპანია AGEM-ის კვლევათვის ალტერნატივად განხილულია, განსაზღვრული ეფექტი აქვს ეტჩინგისას განსხვავებულ მასალებზე, როგორიცაა სილიკონი, ტიტანი და ალუმინის საბრუნავო საბრუნავო საბრუნავო. ეს არის გავრცელებული გამორჩენი, რადგან ეს ნიშნავს, რომ უნდა იყოს მANY ახალი ინდუსტრიები, რომლებიც მიკროჩიპების წარმოებას უნდა შეუძლიას, რომლებიც წინადადებით არ იყო ასეთი საჭირო.
Მწარმოებლები ახლა შეძლებენ გამოსაყვანად მასალებს, რომლებიც წინადადებით რთული იყო გამოქვეყნა. ეს ნიშნავს, რომ ისინი შეძლებენ მეტალების მიკროჩიპების გამოყენებას, რომლებიც ბევრად მეტად სირთულიანი და, რა თქმა უნდა, ეფექტიურია, ვიდრე წინადადებით. როგორც ჩვენ განაგრძობთ ტექნოლოგიის ზღვარების გადაჭარბებას, ეს ახალი მიკროჩიპები შეძლებენ დავალებების გაკეთებას სწრაფად და ეფექტურად, ვიდრე წინადადებით, რაც ძალიან მნიშვნელოვანია.
Plasma Etching Performance Beyond C3F8 Gas Limits
Მაგალითად, AGEM-ში, ტექნოლოგებმა უყვარლივად სცემიან პლაზმის გამოქვეყნის მეთოდების გაუმჯობეს. ისინი ყოველთვის მოიძებნენ გამოქვეყნის განვითარებას მატისა და სიჩქარის მიმართულებით. ერთ-ერთი ინტერესანი გამონაკლება, რომელსაც ისინი დაარჩენენ, იყო C3F8-ის გამოყენება პროცესში, რომელსაც ეწოდება გარღვეული სილიცონის გამოქვეყნის.
Და დიახ, არსებობს სPECIAL პროცესი 3D ფორმების შექმნისთვის სილიცონის უამრავებზე. ეს 3D სტრუქტურები შეიძლება ჰავას განსაზღვრაში გამოიყენონ სენსორებში, მიკროფონებში და lab-on-chip-ში (ანუ, მინიატური მოწყობები, რომლებიც შეძლებენ ტესტების ჩატარებას ნიმუშებზე). ამ მოდელირების მეშვეობით, კვლევარის შეძლება შექმნა იнструმენტები, რომლებიც შეძლებენ მასალების პრაქტიკული პრობლემების გადაჭარბებას.
C3F8-ის გავლენა ნანოტექნოლოგიაზე და მიკროჩიპების განვითარებაზე
Ნანოტექნოლოგია არის მეცხრივი სამეცნიერო დაწყება, ძალიან მცირე, მეტად მცირე ვიდრე 白沙. მიკროჩიპი c3f8 გასი შერ祺ვების წარმოება არის ნანოტექნოლოგიის ტიპი, რადგან მიკროჩიპზე მდებარე შერ祺ვები ძალიან მცირეა. ჩიპის ყოველი მიკრო კომპონენტი უნდა სინქრონიზდეს, რომ ფუნქციონირებდეს.
C3F8-ის გამოყენება გახდა ნანოტექნოლოგიისთვის გარკვეული ფაქტორი, რომელიც მოთამაშებს მცირე და ძალიან სიტყვითი მიკროჩიპების განვითარებას, რომლებიც არ გამოვიდნენ ადრიელად. ეს სოფისტიკაციებული მიკროჩიპები ძალიან მნიშვნელოვანია ახალ ტექნოლოგიებისთვის, როგორიცაა AI (ისტვლის ინტელექტი, ან მანქანების შესწავლა და გადაწყვეტილების გამოყენება) და ავტომატურად მძღომელი მანქანები (მანქანები, რომლებიც მძღომელობას ასრულებენ თვითმფრინავდებით). ეს განვითარებები შეიძლება დაახლოებინათ ჩვენს ცხოვრებას და შეცვალონ ტექნოლოგიასთან ჩვენი ცხოვრების გზას.
C3F8-ის ტექნოლოგიური განვითარებები პლაზმის ეტჩინგში
Პლაზმის ეტჩინგის ტექნოლოგია დაიბრუნა 60-იან წლებიდან, როდესაც იგი першэ разу була исполь佐ована. AGMMP ახლა არის ერთ-ერთი ბაზარის ლიდერი პლაზმის ეტჩინგში და ახალ ტექნოლოგიებში. კარგად, კომპანია უყვარს ინოვაციებში, რათა გაუმჯობეს და გაუზომების პროცესი.
Პლაზმის ეტჩინგი ხდის შესაძლებლობას მინიატურულ ჩიპების წარმოებისთვის. ეს დააშვებულა პლაზმის Ეტშენტები წარმოებლებს შექმნას უფრო რთული და კომპაქტური მიკროჩიპები C3F8 აირის გამოყენებით, ვიდრე წინადადებით შესაძლებელი იყო. ეს განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია, რადგან ჩვენი საჭიროება სწრაფი, ძალიან ძალიან ტექნოლოგიაში განვითარება განავითარება დაგროვდება დროის განმავლობით და AGEM არის წინააღმდეგ პლაზმის ეტჩინგის ტექნოლოგიაში. და ისინი უზრუნველყოფენ, რომ მიკროჩიპების წარმოების მომავალი იყოს ნათელი და საშუალებების სრული. ჩვენ ძალიან დავ埢ვლით ტექნოლოგიაზე და ყველა ტექნოლოგიური განვითარება, რომელიც მოხდება მომავალში, განსაზღვრავს ჩვენი ცხოვრების გზას.