Menonjolkan
Ketulenan Gred Elektronik untuk Pembuatan Semikonduktor: C4F6 kami tersedia dalam gred ketulenan ultra tinggi sehingga 5N (99.999 peratus), dengan tahap bendasing yang sangat rendah termasuk Oksigen (O2), Kandungan Air (H2O) dan Hidrokarbon, memastikan kestabilan plasma yang unggul, prestasi pengukiran yang konsisten, dan pengulangan proses yang tinggi—semua ini diperlukan dalam pembuatan peranti semikonduktor lanjutan. Dioptimumkan untuk Aplikasi Pengukiran Plasma Lanjutan: C4F6 direka khas untuk proses pengukiran plasma berketepatan tinggi, termasuk pengukiran dielektrik, pengukiran lapisan oksida, pencontengan bahan ber-k-rendah, dan kawalan dimensi kritikal; menawarkan ketepatan pilihan (selectivity) yang lebih baik, keupayaan pengukiran anisotropik, serta ketepatan profil yang ditingkatkan berbanding gas fluorkarbon konvensional seperti CF4, C2F6 dan C3F8—menjadikannya ideal untuk pembuatan logik lanjutan, ingatan dan MEMS. Alternatif dengan Potensi Pemanasan Global (GWP) Rendah: Berbanding gas perfluorokarbon tradisional, C4F6 memberikan kecekapan pengukiran yang lebih tinggi, penggunaan gas yang lebih rendah, dan impak alam sekitar yang dikurangkan, membantu pengilang semikonduktor mencapai matlamat kelestarian tanpa mengorbankan prestasi pengeluaran dan hasil yang tinggi. Kawalan Ketat terhadap Bendasing dan Kandungan Air: Kami menggunakan sistem pemurnian gas canggih, instrumen analitik presisi tinggi, dan protokol kawalan kualiti yang ketat untuk memastikan kandungan air (H2O) ≤ 1 ppm, oksigen (O2) ≤ 1 ppm, dan jumlah hidrokarbon ≤ 1 ppm—secara berkesan mencegah kontaminasi wafer, ketidakstabilan plasma dan cacat proses, serta menjamin prestasi pemprosesan semikonduktor yang konsisten dan boleh dipercayai. Silinder Bersijil dengan Rawatan Permukaan Gred Semikonduktor: C4F6 kami dibekalkan dalam saiz silinder piawai 47 L, 10 L dan saiz tersuai, yang dihasilkan mengikut piawaian ISO 9809, DOT 3AA dan TPED EN, dengan pilihan rawatan elektropolish dalaman dan passivasi untuk meminimumkan penjanaan zarah, mencegah kontaminasi gas, serta mengekalkan ketulenan gas ultra tinggi semasa penyimpanan dan penggunaan.