Висвітлення
Електронний ступінь чистоти для виробництва напівпровідників. Наш C4F6 доступний у надвисокочистих марках до 5N (99,999 %), що характеризуються надзвичайно низьким рівнем домішок, зокрема кисню (O₂), вологи (H₂O) та вуглеводнів, забезпечуючи виняткову стабільність плазми, стабільну ефективність травлення та високу повторюваність процесу — необхідні умови для виготовлення сучасних напівпровідникових пристроїв. Оптимізований для передових застосувань плазмового травлення. C4F6 спеціально розроблений для високоточних процесів плазмового травлення, зокрема травлення діелектриків, оксидних шарів, формування малок-матеріалів та контролю критичних розмірів, забезпечуючи переважну селективність, анізотропну здатність до травлення та покращену точність профілю порівняно з традиційними фторвуглецевими газами, такими як CF₄, C₂F₆ та C₃F₈, що робить його ідеальним для виробництва передових логічних мікросхем, пам’яті та МЕМС. Альтернатива з низьким потенціалом глобального потепління (GWP). Порівняно з традиційними перфторвуглецевими газами C4F6 забезпечує вищу ефективність травлення, нижче споживання газу та зменшений вплив на навколишнє середовище, допомагаючи виробникам напівпровідників досягти цілей стійкого розвитку, не жертвує при цьому високою продуктивністю та виходом придатної продукції. Суворий контроль домішок та вологості. Ми використовуємо передові системи очищення газів, прецизійні аналітичні прилади та суворі протоколи контролю якості, щоб забезпечити вміст вологи (H₂O) ≤ 1 ppm, кисню (O₂) ≤ 1 ppm та загального вмісту вуглеводнів ≤ 1 ppm, ефективно запобігаючи забрудненню кремнієвих пластин, нестабільності плазми та дефектам процесу, що гарантує стабільну та надійну продуктивність у процесах обробки напівпровідників. Сертифіковані балони з поверхневою обробкою для напівпровідникових застосувань. Наш C4F6 поставляється в стандартних балонах об’ємом 47 л та 10 л, а також у балонах індивідуальних розмірів, виготовлених відповідно до стандартів ISO 9809, DOT 3AA та TPED EN, з можливістю додаткової внутрішньої електрополірування та пасивації для мінімізації утворення частинок, запобігання забрудненню газу та збереження надвисокої чистоти газу під час зберігання та використання.