Poudarek
Čistota za elektronsko rabo za proizvodnjo polprevodnikov: Naš C4F6 je na voljo v izjemno visokih stopnjah čistote do 5N (99,999 %) z izjemno nizkimi koncentracijami primesi, vključno z kisikom (O2), vlago (H2O) in ogljikovodiki, kar zagotavlja odlično stabilnost plazme, dosledno zmogljivost pri režanju in visoko ponovljivost procesa, ki so nujne za napredno izdelavo polprevodniških naprav. Optimiziran za napredne aplikacije plazemskega režanja: C4F6 je posebej zasnovan za visoko natančne procese plazemskega režanja, vključno z režanjem dielektričnih plasti, režanjem oksidnih plasti, vzorčenjem materialov z nizko dielektrično konstanto (low-k) ter nadzorom kritičnih dimenzij. V primerjavi s konvencionalnimi fluorougljikovimi plini, kot so CF4, C2F6 in C3F8, ponuja odlično selektivnost, anizotropno sposobnost režanja in izboljšano natančnost profila, kar ga naredi idealnega za napredno proizvodnjo logičnih vezij, pomnilnikov in MEMS-ov. Alternativa z nizkim potencialom globalnega segrevanja (GWP): V primerjavi s tradicionalnimi perfluorougljikovi plini C4F6 zagotavlja višjo učinkovitost režanja, nižjo porabo plina in zmanjšan vpliv na okolje, kar pomaga proizvajalcem polprevodnikov doseči cilje trajnostnosti, hkrati pa ohranja visoko zmogljivost proizvodnje in donosnost. Stroga kontrola primesi in vlage: Uporabljamo napredne sisteme čiščenja plinov, natančne analizne instrumente in stroge protokole nadzora kakovosti, da zagotovimo vsebnost vlage (H2O) ≤ 1 ppm, kisika (O2) ≤ 1 ppm in skupne vsebnosti ogljikovodikov ≤ 1 ppm, kar učinkovito preprečuje kontaminacijo ploščic, nestabilnost plazme in napake v procesu ter zagotavlja dosledno in zanesljivo zmogljivost obdelave polprevodnikov. Certificirane jeklene posode z površinsko obdelavo za polprevodniške namene: Naš C4F6 dobavljamo v standardnih velikostih posod 47 L in 10 L ter po meri, izdelanih v skladu z mednarodnimi standardi ISO 9809, DOT 3AA in TPED EN, z možnostjo notranjega elektropoliranja in pasivacije, da se zmanjša nastajanje delcev, prepreči kontaminacija plina in ohrani izjemno visoka čistota plina med shranjevanjem in uporabo.